Dari sekian banyak kegunaan transistor di dalam rangkaian elektronika, salah satunya adalah sebagai saklar. Syarat untuk mengerjakan transistor sebagai saklar adalah daerah kerja transistor harus berada pada daerah tersumbat ; ( cut off ). Transistor sebagai saklar mempunyai dua kondisi yang bergantian yaitu kondisi “tertutup” pada saat saturasi dan kondisi “terbuka“ pada saat cut off. (Gambar 2.17[1] ) Transistor Sebagai Saklar II.12.1. Transistor Dalam Kondisi Terbuka Pada saat transistor cut off, tidak ada arus yang mengalir melalui beban Rc kecuali arus bocor yang sanngat kecil ( Iceo ), sehingga besarnya tegangan antra kolektor emitor ( Vce ) adalah : Vce = Vcc – Iceo x Rc………………………………………………………( 2.1 ) Karena Ice sangat kecil ( Iceo = 0 ) maka tegangan Vce menjadi : Vce = Vcc……………………………………………………………………( 2.2 ) Sedangkan tegangan jatuh pada Rc sangat kecil sehingga dapat diabaikan. Transistor sebagai saklar terbuka seperti pada gambar 2.18. ; (Gambar2.18 [2]) Transistor Dalam Kondisi Terbuka II.12.2. Transistor Dalam Kondisi Tertutup Bila transistor mendapat tegangan positif pada basisnya, transistor akan menjadi saturasi maka arus basis ( Ib ) mengalir dan menyebabkan arus mengalir dari kolektor ( Ic ) ke emitor ( Ie ) melalui tahanan beban ( Rc ) sehingga tegangan antara kolektor dan emitor menjadi nol ( Vce = 0 ) dan tegangan jatuh pada beban Rc adalah : Vcc = Ic x Rc……………………………………………………………( 2.3[3] ) Besarnya arus basis pada saat transistor dalam keadaan saturasi adalah : Vbb - Vbe Ib = ---------- ………………………………………………………( 2.5[4] ) ; Rb Menurut hokum Kirchoff besarnya arus yang mengalir di emitor ( Ie ) adalah : Ie = Ib + Ic ………………………………………………………………..( 2.6[5] ) Transistor sebagai saklar tertutup, seperti pada gambar 2.19. ( Gambar 2.19 ) Transistor Sebagai Saklar Tertutup Arus yang mengalirpada kolektor ( Ic ) saat transistor saturasi adalah : Ic = Vcc / Rc………………………………………………………………( 2.7[6] ) [1] Albert Paul Malvino Ph D, Prinsip-Prinsip Elektronika edisi III, hal 126 [2] Ibid, hal. 127 [3] Ibid, hal 127 [4] Ibid, hal 129 [5] ibid, hal.121 [6] Ibid, hal.122
